RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2605
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link