RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2509
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link