RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2489
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link