RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
45
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2616
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link