RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
45
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2740
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link