RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    45 left arrow 48
    Около 6% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.3 left arrow 11.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Причины выбрать
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 48
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 11.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 7.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1992 left arrow 2029

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
модули RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
модули RAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
модули RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
модули RAM