RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
68
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
68
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1812
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link