RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2801
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Jinyu 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link