RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против AMD R948G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
AMD R948G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R948G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
48
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
36
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3320
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link