RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
48
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2763
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link