RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3257
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link