RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
48
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2815
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
INTENSO 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link