RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
48
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3072
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link