RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
48
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
13.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2505
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link