RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
64
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
64
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2016
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link