RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
48
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
27
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3693
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link