RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
48
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2910
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link