Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 48

Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.2 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.0 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 28
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 19.2
Скорость записи, Гб/сек

5.9 16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 3800

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB

Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB

Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

модули RAM