RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
48
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
20.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
4114
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link