Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 48

Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.5 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 25
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 14.5
Скорость записи, Гб/сек

5.9 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 3377

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB

King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

AMD R748G2606U2S 8GB

AMD R748G2606U2S 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

модули RAM