RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
48
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2481
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link