RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
48
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2318
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link