RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Kingston 9905702-002.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
48
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
11.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2510
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link