Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Kingston 9965669-009.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 48

Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.3 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.3 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 33
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 10.3
Скорость записи, Гб/сек

5.9 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 2175

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905598-028.A00G 8GB

Kingston 9905598-028.A00G 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB

Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 9905668-002.A00G 8GB

Kingston 9905668-002.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM