RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
48
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2909
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link