RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
51
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
51
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2570
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link