RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
48
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
36
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2417
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link