RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 48
    Около -85% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.3 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    48 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.9 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 10.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1420 left arrow 2740

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
модули RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
модули RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
модули RAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
модули RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
модули RAM