RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
48
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
38
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2451
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link