RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
48
Около -153% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
19
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
19.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3370
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link