RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
48
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
33
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3122
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link