RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
48
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
33
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2987
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston K000MD44U 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link