Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 48
    Около -33% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.1 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.5 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    48 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.9 left arrow 9.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 7.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1420 left arrow 1927
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения