RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
48
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
27
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
13.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2186
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link