RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
53
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
53
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2310
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link