Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB

Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 47

Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.7 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.2 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 30
Скорость чтения, Гб/сек

9.3 19.7
Скорость записи, Гб/сек

5.9 16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1413 3608

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM