RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
47
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
36
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2570
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link