Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 47

Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.4 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.8 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 30
Скорость чтения, Гб/сек

9.3 21.4
Скорость записи, Гб/сек

5.9 17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1413 4156

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston KHX3000C16/16GX 16GB

Kingston KHX3000C16/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM