RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
71
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
71
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
1757
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link