RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Kingston 9965662-002.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.3
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
8.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2079
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link