RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
47
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2591
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link