RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3528
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link