RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3609
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link