Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 47

Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.3 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 36
Скорость чтения, Гб/сек

9.3 15.3
Скорость записи, Гб/сек

5.9 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1413 2737

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB

модули RAM

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Kingston 9905734-073.A00G 16GB

Kingston 9905734-073.A00G 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB

Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

A-DATA Technology DDR4 2800 8GB

A-DATA Technology DDR4 2800 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM