RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3140
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link