Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 58

Около 31% меньшая задержка

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.3 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 58
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 16.3
Скорость записи, Гб/сек

8.9 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2591

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB

модули RAM