RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
65
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
65
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
1798
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link