RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2688
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link