RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2763
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link