Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 40
    Около -29% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.9 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    40 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 19.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.9 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1789 left arrow 3357
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения